♦氧化鋁(Al2O3)
中輝智能製造集團（ZHHIMG）生產的精密陶瓷零件採用高純度陶瓷原料，氧化鋁含量分別為92%~97%、99.5%及>99.9%，經CIP冷等靜壓成型、高溫燒結及精密加工，尺寸精度可達±0.001mm，表面光潔度Ra壓成型、高溫燒結及精密加工，尺寸精度可達±0.001mm，表面光潔度Ra度可高達061，使用溫度高達100℃。可依客戶要求客製不同顏色的陶瓷，例如：黑色、白色、米色、深紅色等。本公司生產的精密陶瓷零件具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損和絕緣性能，可在高溫、真空和腐蝕性氣體環境中長期使用。
廣泛應用於各種半導體生產設備：框架（陶瓷支架）、基板（底座）、機械臂/橋架（機械臂）、機械部件和陶瓷氣浮軸承。
| 產品名稱 | 高純度99氧化鋁陶瓷方管/方棒 | |||||
| 指數 | 單元 | 85% Al2O3 | 95% Al2O3 | 99% Al2O3 | 99.5% Al2O3 | |
| 密度 | 克/立方厘米 | 3.3 | 3.65 | 3.8 | 3.9 | |
| 吸水率 | % | <0.1 | <0.1 | 0 | 0 | |
| 燒結溫度 | ℃ | 1620 | 1650 | 1800 | 1800 | |
| 硬度 | 莫氏 | 7 | 9 | 9 | 9 | |
| 彎曲強度（20℃） | 百萬 | 200 | 300 | 340 | 360 | |
| 抗壓強度 | 公斤力/平方厘米 | 10000 | 25000 | 30000 | 30000 | |
| 長時間工作溫度 | ℃ | 1350 | 1400 | 1600 | 1650 | |
| 最高工作溫度 | ℃ | 1450 | 1600 | 1800 | 1800 | |
| 體積電阻率 | 20℃ | Ω·cm³ | >1013 | >1013 | >1013 | >1013 |
| 100℃ | 1012-1013 | 1012-1013 | 1012-1013 | 1012-1013 | ||
| 300℃ | >109 | >1010 | >1012 | >1012 | ||
高純度氧化鋁陶瓷的應用：
1. 應用於半導體設備：陶瓷真空吸盤、切割盤、清洗盤、陶瓷吸盤。
2. 晶圓轉移零件：晶圓搬運卡盤、晶圓切割盤、晶圓清洗盤、晶圓光學檢測吸盤。
3. LED/LCD平板顯示器產業：陶瓷噴嘴、陶瓷磨盤、升降銷、銷軌。
4. 光通訊、太陽能產業：陶瓷管、陶瓷棒、電路板絲網印刷陶瓷刮刀。
5. 耐熱且電絕緣的零件：陶瓷軸承。
目前，氧化鋁陶瓷可分為高純度陶瓷和普通陶瓷。高純度氧化鋁陶瓷系列是指Al₂O₃含量超過99.9%的陶瓷材質。由於其燒結溫度高達1650～1990℃，且透射波長為1～6μm，通常採用熔融玻璃而非鉑坩堝進行加工：由於其良好的透光性和對鹼金屬的耐腐蝕性，可用作鈉管。在電子工業中，可用作積體電路基板的高頻絕緣材料。根據氧化鋁含量的不同，普通氧化鋁陶瓷系列可分為99陶瓷、95陶瓷、90陶瓷和85陶瓷。有時，氧化鋁含量為80%或75%的陶瓷也被歸類為普通氧化鋁陶瓷系列。其中，99號氧化鋁陶瓷材料用於製造高溫坩堝、耐火爐管以及陶瓷軸承、陶瓷密封件和閥板等特殊耐磨材料。 95號鋁陶瓷主要作為耐腐蝕耐磨零件。 85號陶瓷通常摻雜一些其他材料，以提高其電氣和機械強度。它可以與鉬、鈮、鉭等金屬配合使用，部分也用於製造電真空裝置。
| 品質項目（代表性價值） | 產品名稱 | AES-12 | AES-11 | AES-11C | AES-11F | AES-22S | AES-23 | AL-31-03 | |
| 化學成分低鈉易燒結產品 | 水 | % | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 |
| 哈哈 | % | 0.1 | 0.2 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | |
| Fe₂O₃ | % | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | 0.01 | |
| 二氧化矽 | % | 0.03 | 0.03 | 0.03 | 0.03 | 0.02 | 0.04 | 0.04 | |
| 氧化鈉 | % | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.04 | 0.02 | 0.04 | 0.03 | |
| 氧化鎂* | % | - | 0.11 | 0.05 | 0.05 | - | - | - | |
| Al₂O₃ | % | 99.9 | 99.9 | 99.9 | 99.9 | 99.9 | 99.9 | 99.9 | |
| 中等粒徑（MT-3300，雷射分析法） | 微米 | 0.44 | 0.43 | 0.39 | 0.47 | 1.1 | 2.2 | 3 | |
| α晶體尺寸 | 微米 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 ~ 1.0 | 0.3 ~ 4 | 0.3 ~ 4 | |
| 形成密度** | 克/立方厘米 | 2.22 | 2.22 | 2.2 | 2.17 | 2.35 | 2.57 | 2.56 | |
| 燒結密度** | 克/立方厘米 | 3.88 | 3.93 | 3.94 | 3.93 | 3.88 | 3.77 | 3.22 | |
| 燒結線收縮率** | % | 17 | 17 | 18 | 18 | 15 | 12 | 7 | |
* MgO 不計入 Al₂O₃ 的純度計算中。
* 無結垢粉末 29.4MPa (300kg/cm²)，燒結溫度為 1600°C。
AES-11 / 11C / 11F：添加 0.05 ~ 0.1% MgO，燒結性能優異，因此適用於純度超過 99% 的氧化鋁陶瓷。
AES-22S：燒結線具有成型密度高、收縮率低的特點，適用於滑模鑄造和其他對尺寸精度要求較高的大型產品。
AES-23 / AES-31-03：與 AES-22S 相比，其成型密度、觸變性和黏度更高。前者用於陶瓷，後者用作防火材料的減水劑，越來越受歡迎。
♦碳化矽（SiC）特性
| 一般特徵 | 主要成分純度（wt%） | 97 | |
| 顏色 | 黑色的 | ||
| 密度（克/立方厘米） | 3.1 | ||
| 吸水率（%） | 0 | ||
| 機械特性 | 抗彎強度（兆帕） | 400 | |
| 楊氏模量（GPa） | 400 | ||
| 維氏硬度（GPa） | 20 | ||
| 熱特性 | 最高工作溫度（攝氏） | 1600 | |
| 熱膨脹係數 | 室溫~500°C | 3.9 | |
| （1/°C x 10-6） | 室溫~800°C | 4.3 | |
| 熱導率（W/m·K） | 130 110 | ||
| 熱衝擊阻力 ΔT (°C) | 300 | ||
| 電氣特性 | 體積電阻率 | 25°C | 3 x 106 |
| 300°C | - | ||
| 500°C | - | ||
| 800°C | - | ||
| 介電常數 | 10GHz | - | |
| 介電損耗（×10-4） | - | ||
| Q 因子（×10⁴） | - | ||
| 介質擊穿電壓（千伏特/毫米） | - | ||
♦氮化矽陶瓷
| 材料 | 單元 | Si₃N₄ |
| 燒結法 | - | 氣體壓力燒結 |
| 密度 | 克/立方厘米 | 3.22 |
| 顏色 | - | 深灰色 |
| 吸水率 | % | 0 |
| 楊氏模量 | 平均績點 | 290 |
| 維氏硬度 | 平均績點 | 18-20 |
| 抗壓強度 | 百萬 | 2200 |
| 彎曲強度 | 百萬 | 650 |
| 熱導率 | 瓦/米開爾文 | 25 |
| 熱衝擊阻力 | Δ (°C) | 450 - 650 |
| 最高工作溫度 | 攝氏度 | 1200 |
| 體積電阻率 | Ω·cm | > 10 ^ 14 |
| 介電常數 | - | 8.2 |
| 介電強度 | kV/mm | 16 |